继美光、三星后:SK海力士搞定1Znm 16Gb DDR4内存

2019-11-30 02:49栏目:龙竞技官网
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在美光、三星先后搞定1Znm工艺的16Gb DDR4 DRAM内存芯片后,SK海力士也终于跟上队伍了。

10月21日,SK海力士宣布开发适用第三代1Z纳米DDR4动态随机存储器。SK海力士称,这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb,在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。

16Gb DDR4-3200内存芯片是当前行业内存储密度最高、速度最快的DRAM产品,预计明年开始大规模出货。

此外,与上一代1Y纳米产品相比,其产能提升约27%,因其无需昂贵的极紫外光刻加持,因此更具成本竞争优势。

能效指标方面,SK海力士称1Znm相较于1Ynm,生产效率提升了27%;功耗与1Y nm 8Gb DRAM相比,下降了40%。

新款1Z纳米DRAM支持高达3200 Mbps的数据传输速率,据称是DDR4规格内最高速度。在功耗方面,与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比,功耗降低约40%。

SK海力士透露,他们在1Znm世代导入了新研发的电容,还引入新设计,以提高稳定性。

第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料,将DRAM操作的关键要素静电容量最大化。此外,还引进了新的设计技术,提高了动作稳定性。

按规划,1Z nm很快将应用于LPDDR5、HBM3等芯片上,成为更优质产品的代名词。

接下来,SK海力士计划将第三代10纳米级微细工程技术扩展到多种应用领域,包括下一代移动DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。

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